Divulgação do Resultado do processo seletivo simplificado do PPGFSC/UFSC para ingresso em 2015/2
Segue abaixo o resultado do Processo seletivo simplificado PPGFSC/UFSC para ingresso no curso de doutorado no semestre 2015/2
O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:
Resumo:
Domain walls are playing an increasingly important role in new, experimental data storage technologies, as they can be easily manipulated by current and/or magnetic and electric fields. Controllable pinning is paramount for these applications and extrinsic, non-traditional sources of domain wall pinning, such as spatially varying dipolar fields and focused ion beam irradiation, have been proposed as means of tailoring magnetization reversal and domain wall pinning over short length scales. Here we detail magneto-optical studies of domain wall motion and domain wall mediated switching in a continuous, magnetically soft, ultrathin [Pt/Co]x (x = 1 or 2) film with perpendicular anisotropy which is coupled to an array of harder [Co/Pt]4 magnetic nanodots via dipolar interaction across a thin Pt spacer. In the absence of nanodots, the domain wall dynamics is dominated by thermally activated creep, while the stray field underneath the nanodot array gives rise to a spatially periodic pinning potential for domain walls propagating through the underlying continuous film which leads to field-asymmetric reversal and exchange-bias-like phenomena. We observe strikingly different domain wall morphologies depending on the field polarity and the strength of the coupling between the nanodots and the underlying layer, as well as domain wall velocity differences of up to 3 orders of magnitude and transitions from compact faceted to percolation-like dendritic domain wall propagation modes. We show that the average domain wall mobility of a magnetic thin film can be controlled by an external parameter, in this casethe magnetization state of an array of magnetic nanodots, opening the possibility of controlling domain wall propagation paths in thin magnetic films.
O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:

Secretário Adjunto na Secretaria de Desenvolvimento Tecnológico e Inovação do MCTI e Professor da USP
*Presença obrigatória para os alunos matriculados na disciplina seminários
Resumo:
O modelo e a linguagem para descrever a estrutura eletrônica de materiais foram e, ainda, são baseados na teoria de bandas desenvolvida primeiramente por Felix Bloch, em 1929. Nessa descrição, isolantes são caracterizados por um conjunto de níveis de energia completamente “ocupados” e um conjunto de níveis de energia “vazios” separados por um gap de energia e, de acordo com modelos semiclássicos para o transporte eletrônico, fazem o material eletricamente inerte. A descoberta do efeito Hall Quântico (QH) em sistemas eletrônicos de duas dimensões (2D) foi a ponta do iceberg para classificar fenômenos que parecem violar a definição de estado isolante, ou seja, sistemas com gap de energia no bulk exibiam propriedades de transporte não triviais. Recentemente, uma nova classe de isolantes topológicos preditos teoricamente e realizados experimentalmente tem sido objeto de intenso estudo. Esses isolantes topológicos têm um gap isolante no bulk, mas apresentam estados de superfícies protegidos devido à simetria de reversão temporal (TRI). Neste colóquio, apresentarei esses novos materiais que, somente por causa das interações spin-órbita, levam a uma fase da matéria chamada de Quantum Spin Hall (QSH), topologicamente distinto de outros estados isolantes que conhecemos. Em particular, irei focar em sistemas 3D. Ao final, mostrarei alguns resultados obtidos por nosso grupo de pesquisa através dos cálculos de primeiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade (DFT).