Programa de Pós-Graduação em Física da UFSC, Florianópolis

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:

Prof. Adjunto III – Departamento de Física Laboratório de Spintrônica e Nanomagnetismo (LabSpiN) Universidade Federal de Viçosa

 Spintrônica: Memória de hoje e lógica do futuro*

Departamento de Física – (LabSpiN) – Universidade Federal de Viçosa
*Evento de presença obrigatória da disciplina seminários

Resumo:

Desde a descoberta da magnetorresistência gigante, sua aplicação nas válvulas de spin e do tunelamento magnético a temperatura ambiente, os dispositivos spintrônicos aplicados como leitores de memória proporcionaram uma mudança de paradigma na tecnologia de informação. Atualmente, as memórias magnetorresistivas de acesso aleatório têm cada vez mais sido consolidadas como substitutas das limitadas memórias capacitivas baseadas em silício, dadas sua maior escalabilidade, não volatilidade e proteção contra agentes externos. Porém, apesar da crescente integração dos dispositivos spintrônicos em substituição a tecnologias atuais, pouco se avançou para consolidação prática de dispositivos lógicos baseados no grau de liberdade de spin. Neste seminário serão abordadas algumas propostas de memórias magnéticas com maior potencial de gravação e de transistores lógicos baseados em dispositivos spintrônicos.

Data: 11 de outubro de 2019 – (sexta-feira) – Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:

Professor do Depto. de Física e credenciado ao PPGFSC Linha de pesquisa: Astronomia estelar e Galáctica

Exploring windows of low extinction in the Milky Way plane with the VVV survey*

Roberto Kalbusch Saito

Departamento de Física – UFSC
*Evento de presença obrigatória da disciplina seminários

Resumo:

High extinction towards the Galactic plane is a major obstacle to study the far side of the Milky Way. In order to explore the Galaxy, low extinction windows such as the Baade’s window in the bulge have been used to study its stellar content and structure. We present now the analysis of windows of low extinction towards the Milky plane recently discovered by the VVV Survey. These windows at Galactic longitudes |b|<1 deg allows one to explore the far side of the Milky Way right in the plane and to study the structure of Galaxy by analyzing the distribution and proper motion of their stellar content. VVV red clump stars within these windows are used to map the far side of the disk and present evidences of the the spiral arms across the Milky Way.

Data: 04 de outubro de 2019 – (sexta-feira) Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:

Transistores de óxidos metálicos processados por solução com alto desempenho:
rumo à eletrônica flexível e transparente*

Lucas Fugikawa Santos UNESP, Departamento de Física, IGCE, Rio Claro – SP
*Evento de presença obrigatória da disciplina seminários

Resumo:

Iremos apresentar os resultados do desenvolvimento e caracterização de transistores transparentes (transmitância óptica superior a 80% no espectro visível), de baixa tensão de operação ( abaixo de 3V) e com mobilidade eletrônica extremamente alta (superior a 100 cm2.V-1.s-1) à base de óxido de zinco (ZnO) processado por spray-pirólise. Transistores de filme fino (TFTs) em uma estrutura vidro/ITO/Al2O3/ZnO têm sido estudados a partir de medidas elétricas, microscopia eletrônica de varredura (MEV), difração de raios-X (DRX), espectroscopia de fotoelétrons por raios-X (XPS), espectroscopia de absorção óptica no UV/Vis/NIR e espectroscopia de elipsometria (ES). Os resultados da análise da microestrutura foram comparados à performance elétrica dos transistores e com os parâmetros obtidos a partir da ES, demonstrando uma alta correlação entre as propriedades elétricas e os parâmetros de manufatura dos dispositivos, tais como o procedimento de deposição da camada ativa e sua composição. A influência da camada dielétrica (Al2O3) no desempenho do dispositivo e da formação da camada ativa é também demonstrada a partir dos resultados. Apresentaremos também uma discussão sobre aspectos de importantes de manufatura e análise de dispositivos relacionados à otimização de desempenho, reprodutibilidade, tempo de vida e confiabilidade.

Data: 27 de setembro de 2019 – (sexta-feira) Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min