Programa de Pós-Graduação em Física da UFSC, Florianópolis

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário: 

Non-equilibrium physics of many interacting large spins in quantum gases of chromium*

Prof. Laurent Vernac – Université Paris 13

*Evento de presença obrigatória para os alunos matriculados na disciplina seminários

 Resumo:

 I will describe recent results obtained in our group with quantum gases of chromium. We trig spin dynamics by tilting the individual spins of our samples of ultracold chromium atoms (spin 3). Interactions between the atoms lead to a spin mixing dynamics observed by Stern Gerlach analysis, between the seven Zeeman components. In a Bose Einstein condensate, we show that the dynamics results from an interplay between contact short range interactions, and long range dipolar interactions. We propose a model to understand the key role played by magnetic field gradients. In a Mott insulator state (obtained by loading the atoms in a deep optical lattice), we evidence beyond mean field effects by comparing data with numerical models.

Data: 07 de abril de 2017 – (sexta-feira) – Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário: 

Quase-Integrabilidade*

Prof. Dr. Pawel Klimas – FSC/UFSC

*Evento de presença obrigatória para os alunos matriculados na disciplina seminários

Resumo:

Os modelos integráveis em física possuem propriedades matemáticas muito especiais o que faz com que os mesmos sejam muito raros. Uma destas propriedades manifesta-se na existência de soluções chamadas sólitons. Os sólitons propagam-se sem dispersão, e quando colidem não geram radiação. Esta propriedade é bem entendida dentro de formalismo matemático que descreve teorias integráveis. Os sólitons aparecem em grande abundância em muitas áreas da física: teoria de campos, óptica não-linear (fibras ópticas), cadeias de spin e até em cadeias de DNA. Os sólitons observados na natureza comportam-se de maneira muito parecida aos sólitons ideais em modelos integráveis. Isto leva à hipótese de que a natureza pode ser descrita por deformações de modelos integráveis, que apesar de perderem a integrabilidade, ainda preservam as características principais dos modelos integráveis. Este fenômeno foi chamado de quase-integrabilidade e foi testado em alguns modelos, como por exemplo, o modelo modificado de Schrodinger não-linear. Neste seminário será apresentada uma visão geral deste fenômeno e a sua ilustração, tomando-se como exemplo o modelo de Toda afim com dois campos.

Data: 31 de março de 2017 – (sexta-feira) – Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário: 

Memristors: a primer and perspectives*

Prof. Dr. Gilberto Medeiros

UFMG

 *Evento de presença obrigatória para os alunos matriculados na disciplina seminários

 Resumo:

Memristors are one class of devices that cannot be described or emulated by association of resistors, capacitors and inductors. A pinched hysteresis is usually the fingerprint of memristive behaviour [1,2]. Beyond simple modelling presented in the early 70s [1,2], significant experimental progress has been achieved, to the point where now there are several companies and research teams working with these devices in a number of applications ranging from neuromorphic computing [3,4] to non-volatile memories [5]. Here I will discuss the anatomy of conductive channels in memristors, by means of structural and chemical characterization afterproper identification through pressure modulated conductance experiments [6]. Subsequently, the upper limits of switching speeds of these devices will be discussed [7], as well as our modelling results [8]. Finally, complementing the modelling picture I will conclude showing our latest results on noise characteristics of these intriguing devices [9].

References

[1] L. O. Chua, “Memristor – missing circuit element”. IEEE Trans. Circuit Theory CT-18, 507-519 (1971).

[2] L. O. Chua, & S. M. Kang, “Memristive devices and systems”. Proceedings of the IEEE 64,209-223 (1976).

[3] M. Prezioso, et al. “Training and operation of an integrated neuromorphic network basedon metal-oxide memristors”, Nature 521, 61-64 (2015).

[4] J.J. Yang, D.B. Strukov & D.R. Stewart, “Memristive devices for computing”, Nature Nanotech. 8, 13-24 (2013).

[5] for example, http://www.crossbar-inc.com/

[6] F. Miao et al., “Anatomy of a Nanoscale Conduction Channel Reveals the Mechanism of a High-Performance Memristor”, Adv. Mater. 23, 5633-5640 (2011).

[7] A. C. Torrezan, J. P. Strachan, G. Medeiros-Ribeiro, & R.S. Williams, “Sub-nanosecondswitching of a tantalum oxide memristor”, Nanotechnology 22, 485203 (2011).

[8] J.P. Strachan, et al. “State Dynamics and Modeling of Tantalum Oxide Memristors”, IEEETransactions on Electron Devices 60, 2194-2202 (2013).

[9] W. Yi, et al., “Quantized Conductance coincides with State Instability and Excess Noise inTantalum Oxide Memristors”, Nature Communications, in press.

Data: 17 de março de 2017 – (3/17/2017)- Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min