Programa de Pós-Graduação em Física da UFSC, Florianópolis

O PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM FÍSICA convida para o seminário:   

Professor da UNESP, tendo como objeto de pesquisa os seguintes temas: Dispositivos orgânicos, missores de luz (OLEDs), Transistores de efeito de campo orgânicos (OFETs), entre outros

Aplicações de Transistores de Filme Fino em Displays Transparentes e Flexíveis* 

Prof. Dr. Lucas Fugikawa Santos

Universidade Estadual Paulista, UNESP, Departamento de Física – Campus de São José do Rio Preto.

*Presença obrigatória para os alunos matriculados na disciplina seminários

Resumo:

Transistores de filme fino (TFTs) são dispositivos eletrônicos que têm sido amplamente aplicados em circuitos de controle de displays planos de matriz ativa baseados tanto em cristais líquidos (AMLCDs) quanto em diodos emissores de luz orgânicos (AMOLEDs). Embora a grande maioria dos displays de matriz ativos produzidos atualmente utilizem como material ativo o silício amorfo (a-Si), novos tipos de materiais têm sido estudados para poderem suprir as exigências de aplicações que irão requerer maiores taxas de repetição, recursos 3-D, grandes áreas, transparência e flexibilidade. Óxidos metálicos amorfos como o óxido de zinco (ZnO), óxido de zinco e índio (IZO) e óxido de índio, gálio e zinco (IGZO) são materiais que têm sido considerados como bons candidatos para substituir o a-Si em determinadas aplicações, em especial as que demandam transparência e flexibilidade. Recentemente, a produção de TFTs desses materiais depositados por solução tem chamado bastante a atenção, devido ao enorme potencial para a deposição em grandes áreas e a diminuição dos custos de produção. No presente trabalho, iremos apresentar os resultados de TFTs de óxidos metálicos processados por solução e discutir sobre os desafios tecnológicos que precisam ser superados para que esse tipo de tecnologia alcance o mercado.

[1] K.K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R.L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard and H. Sirringhaus, Nat. Mat. 10, 45-50 (2011).

                                                             [2] M.C. Gwinner, Y. Vaynzof, K.K. Banger, P.K.H. Ho, R.H. Friend and H. Sirringhaus, Adv. Funct. Mat. 20, 3457-3465 (2010)

Data: 21 de novembro de 2014  – Local: Sala 212 – Auditório do Departamento de Física – Horário: 10h15min